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Flash、RAM、ROM的區(qū)別 - 程序員大本營(yíng)

RAM、ROM和FLASH三種常見存儲(chǔ)器類型介紹

RAM、RAM和RAM的區(qū)別解讀 - 百度文庫(kù)

內(nèi)存

RAM中文名稱，隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。 之所以稱為隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，是因?yàn)楫?dāng)數(shù)據(jù)讀取或?qū)懭隦AM時(shí)，所花費(fèi)的時(shí)間與信息所在的位置或?qū)懭氲奈恢脽o關(guān)。

特點(diǎn)：速度最快，斷電數(shù)據(jù)丟失，容量小，價(jià)格昂貴。

RAM分為兩類：SRAM和DRAM。

具體包括SRAM、DRAM、SDRAM、、和。

SRAM是靜態(tài)（S指）RAM。 靜態(tài)是指不需要刷新電路，數(shù)據(jù)不會(huì)丟失。 SRAM的速度非常快，是目前讀寫速度最快的存儲(chǔ)設(shè)備。

DRAM是動(dòng)態(tài)RAM。 動(dòng)態(tài)意味著數(shù)據(jù)需要每隔一段時(shí)間刷新一次。 它可以保存數(shù)據(jù)，速度比SRAM慢，但仍然比任何ROM都快。

SDRAM是同步（S指）DRAM。 同步是指顯存的工作需要同步時(shí)鐘，內(nèi)部命令發(fā)送和數(shù)據(jù)傳輸都是基于它的。

DDR、DDR2、DDR3都屬于SDRAM。 DDR的意思是三指同系列的三代，速度更快，容量更大，幀率更低。 現(xiàn)在發(fā)布了DDR4，也是同一系列。

只讀存儲(chǔ)器

ROM的中文名稱是Read-Only，只讀存儲(chǔ)器。 正常使用時(shí)其上的數(shù)據(jù)只能讀取不能寫入，存儲(chǔ)速度不如RAM。 （不過根據(jù)描述，還是可以改的，為此，這句話應(yīng)該改為“不能隨便寫”。）

特點(diǎn)：斷電不丟失數(shù)據(jù)、容量大、價(jià)格實(shí)惠。

ROM分類三類：PROM、EPROM和。

PROM：（P指）可編程ROM，可根據(jù)用戶需要，寫入內(nèi)容，且只能寫入一次，不能更改。

EPROM：PROM的升級(jí)版，可以多次編程和修改，只能用紫外光擦除。

：升級(jí)版，可多次編程修改，可電擦除。

閃光

FLASH存儲(chǔ)器又稱閃存，結(jié)合了ROM和RAM的優(yōu)點(diǎn)。 除了具有電可擦除和可編程的性能（這是最好的優(yōu)點(diǎn)）之外，它在斷電時(shí)不會(huì)丟失數(shù)據(jù)（這是最好的優(yōu)點(diǎn)），并且可以快速讀取數(shù)據(jù)（這是RAM的優(yōu)點(diǎn)） ）。

特點(diǎn)：斷電不丟失數(shù)據(jù)、容量大、價(jià)格實(shí)惠。

FLASH存儲(chǔ)器分為和。

的讀取速度比快，價(jià)格也比高。 應(yīng)用程序可以直接在 中運(yùn)行，無需將代碼讀入系統(tǒng) RAM。

的讀取速度比慢，價(jià)格比低，存儲(chǔ)顆粒密度比高。 它可以用作大數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，但應(yīng)用程序不能直接在中運(yùn)行。

FLASH存儲(chǔ)是一種塊設(shè)備。 有塊（Block）和頁(yè)（Track）兩個(gè)概念。

互聯(lián)網(wǎng)資源摘要

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我明白。

1、近20年來，嵌入式系統(tǒng)仍然采用ROM（EPROM）作為其存儲(chǔ)設(shè)備，但近年來，F(xiàn)lash在嵌入式系統(tǒng)中已經(jīng)完全取代了ROM（EPROM），用于存儲(chǔ)和操作系統(tǒng)的程序代碼或直接用作一個(gè)硬盤。

2、FLASH屬于廣義上的ROM。 FLASH與ROM最大的區(qū)別在于，F(xiàn)LASH按照磁道（或“頁(yè)”）進(jìn)行操作，以塊為單位進(jìn)行擦除，以字節(jié)為單位進(jìn)行操作和擦除。 這簡(jiǎn)化了電路，從而提高了數(shù)據(jù)密度并增加了成本。 目前M上的ROM一般都是FLASH。

3、和的關(guān)系和區(qū)別如上所述。 至于和iNand的關(guān)系，可以這樣理解，iNand、SD卡、MMC卡等，都是以為原材料，遵守一些合同，添加封裝和插座，配合使用的特點(diǎn)，屬于類別。 有哪些常用的產(chǎn)品？ 由于容量較小，日常生活中似乎很少見到。 它通常用在開發(fā)板上作為啟動(dòng)介質(zhì)，因?yàn)榇a程序可以直接在上運(yùn)行。

4. FLASH存儲(chǔ)是一種塊設(shè)備。 有塊（Block）和頁(yè)（Track）兩個(gè)概念。

5、傳統(tǒng)的機(jī)械硬盤（HHD）是一種基于磁原理存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的設(shè)備。 如今的固態(tài)硬盤 (SSD) 似乎是基于 和 DRAM。

6、U盤也是FLASH類型的存儲(chǔ)，應(yīng)該也是以NAND FLASH為主。

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